半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的蕞佳工具之一是大功率分立器件静态测试系统，普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询18140663476
系统特点和优势：
单台Z大3500V输出；
单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；
15us的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；
系统指标
项目 | 参数 | |
集电极-发射极 | Z大电压. | 3500V |
Z大电流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大电压上升沿 | 典型值5ms | |
大电流上升沿 | 典型值15us | |
大电流脉宽 | 50us~500us | |
漏电流测试量程 | 1nA~100mA | |
栅极-发射极 | Z大电压 | 300V |
Z大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
精度 | 0.05% | |
Z小电压分辨率 | 30uV | |
Z小电流分辨率 | 10pA | |
电容测试 | 典型精度 | 0.5% |
频率范围 | 10Hz~1MHz | |
电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | |
温控 | 范围 | 25℃~150℃ |
精度 | ±1℃ | |
测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
普赛斯大功率分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，皮安级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。
PMST系列功率器件静态参数测试系统，是普赛斯仪表经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现。
此外，普赛斯仪表功率半导体静态参数测试解决方案还支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够在整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。同时，该方案还可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。从pA级、mV级高精度源表到kA级、10kV源表，普赛斯的产品解决了国内企业在半导体芯片以及第三代半导体芯片测试中的仪表国产化问题，并在客户IGBT产线上推出了多条测试示范线，引领了国内IGBT测试的技术潮流。
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