霍尔传感器响应时间测试大电流源特点
50μs-500μs的脉冲宽度连续可调
15μs超快上升沿（典型时间）
两路同步测量电压0.3mV-18V
0.1%测试精度
单台5A-1000A程控输出，可多台并联蕞高达6000A
支持过流保护、异常开路保护
可快速测试IGBT或SiC的单管及半桥
可适用于大电流传感器（阶跃）响应时间测试
技术指标
电流脉宽 50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间 典型时间15us
输出脉冲电流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量 2独立通道
DUT电压测量 远端测量，峰值电压测量（取样点可配置）
DUT电压测量 0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV
DUT电压测量 0~3V量程，精度0.1%±3mV
DUT电压测量 0~18V量程，精度0.1%±8mV
电流脉冲输出间隔时间1秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出超大电流，如3000A
支持输出极性反转
触发信号 支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压 90~264VAC、50/60Hz
输入功率<750W
尺寸：长516x宽250x高160mm
应用领域
肖特基二极管
整流桥堆
IGBT器件
IGBT半桥模块
IPM模块
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！
